PSRAM CellularRAM - Micron
PSRAM CellularRAM - Micron（美光）产品PSRAM CellularRAM|Micron产品
合并的DRAM和SRAM
的CellularRAM堀储器是一种伪静态DRAM（PSRAM）设备采用的SRAM架构，隐藏刷新操作，SRAM引脚兼容。 这种混合内存提供了最好的SRAM和DRAM的特点，结合低功耗和高速读写函数s。 由于CellularRAM的内存还提供了同步操作，存取速度快，和可变延迟初始的突发访问，你获得高吞吐量和优异的性能。 这是一个低功耗，空间受限的设计，如MCP的，以及移动和工业应用的理想解决方案。
总结 全部零件目录（11）
密度 宽度 RoHS指令 I / O电压 访问时间 包 运算。 温度。
16兆
3个相关产品 X16 绿色 ， 是 1.7V-3.3V 70NS VFBGA -40°C至+85°C ， -40°C至+105°C
32兆
3个相关产品 X16 绿色 1.7V-3.3V ， 1.7V-3.6V 70NS VFBGA -40°C至+85°C ， -40°C至+105°C
64兆
3个相关产品 X16 绿色 1.7V-3.3V 70NS VFBGA -30C到+85 C ， -40°C至+85°C
128Mb的
2产品 X16 绿色 1.7V-3.6V 70ns的 ， 85ns VFBGA -40°C至+85°C ， -40°C至+105°C
优点 文档和支持 常见问题 博客
一个密度范围内，提供了许多设计的灵活性
可选字节和突发长度在x16字的大小与
一个单一的设备可以工作在扩展VCCQ范围
提供极低的功率消耗在待机与工作模式; PAR在待机模式下提供更大的功率节省
宽温度范围是坚固耐用的移动和工业环境的理想选择
非常适合空间有限的移动应用程序
特色文章
CellularRAM的是什么？
我们的CellularRAM记忆体是异步/页和突发接口的，隐藏刷新操作，SRAM引脚兼容，这使得它方便和有效的解决方案，专为移动应用程序的伪静态DRAM。
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